Hersteller Teilnummer
STD4N52K3
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor
Entwickelt für hocheffiziente Stromumrechnungsanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Breiter Betriebsspannungsbereich (bis zu 525 V)
Niedrige On-Resistenz (2,6 Ω @ 1,25A, 10 V)
Hohe Stromfähigkeit (2,5A kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C)
Niedrige Gate -Ladung (2NC @ 10V)
Hochtemperaturbetrieb (bis zu 150 ° C -Anschlusstemperatur)
Oberflächenhalterung DPAK -Verpackung
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung
Kompaktes und platzsparendes Design
Zuverlässiger Hochtemperaturbetrieb
Einfache Integration in Leistungselektroniksysteme
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 525 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 2.6 Ω
Abflussstrom (ID): 2,5a
Eingangskapazität (CISS): 334PF
Leistungsdissipation (TC): 45W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für hochzuverständliche Anwendungen
Kompatibilität
Geeignet für den Einsatz in einer Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Schaltmodus-Netzteile
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Keine Pläne für die Absetzen
Ersatz- oder Upgrade -Optionen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hohe Effizienz und Leistungsdichte
Zuverlässiger Hochtemperaturbetrieb
Einfache Integration in die Strome -Elektroniksysteme
Wettbewerbspreise und Verfügbarkeit
STD49GK16BSIRECTIFIERIGBT Module
STD4N52K8STMicroelectronics