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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD60N3LH5
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STD60N3LH5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD60N3LH5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD60N3LH5
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 48A DPAK
Verpackung
DPAK
Datenblatt
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Datenblätter

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RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

STD60N3LH5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD60N3LH5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD60N3LH5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie STripFET™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 24A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc)  
Grundproduktnummer STD60N  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STD60N3LH5

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochleistungs-N-Kanal-Leistungsmosfet in einem DPAK-Paket

Produktfunktionen und Leistung

Breiter Betriebstemperaturbereich: -55 ° C bis 175 ° C

Niedrige On-Resistenz: 8 Mω @ 24 a, 10 V.

Hohe Stromfähigkeit: 48 Ein kontinuierlicher Abflussstrom

Ladung mit niedriger Gate: 8,8 NC @ 5 V.

Niedrige Eingangskapazität: 1350 PF @ 25 V.

Produktvorteile

Ausgezeichnete Leistungseffizienz

Robuste und zuverlässige Leistung

Kompaktes DPAK-Paket für platzsparende Designs

Wichtige technische Parameter

Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 30 V.

Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 20 V

Leistungsdissipation (TC): 60 w

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Geeignet für sicherheitskritische Anwendungen

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen elektronischen Systemen und Leistungselektronikanwendungen

Anwendungsbereiche

Schaltmodus-Netzteile

Motor fährt

Industrieautomatisierung und Kontrolle

Telekommunikationsgeräte

Allgemeines Leistungsmanagement

Produktlebenszyklus

Derzeit verfügbar, keine Pläne für die Absage

Ersatz- und Upgrade -Optionen verfügbar

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Ausgezeichnete Leistungseffizienz und thermische Leistung

Robuster und zuverlässiger Betrieb in harten Umgebungen

Kompaktes und platzsparendes DPAK-Paket

Geeignet für eine breite Palette von Strom -Elektronikanwendungen

Unterstützt von einem seriösen Hersteller mit einer starken Erfolgsbilanz

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD60N3LH5.

Produkteigenschaften STD60N3LH5 STD60N55F3 STD60GK08 STD60N3LH5-H
Artikelnummer STD60N3LH5 STD60N55F3 STD60GK08 STD60N3LH5-H
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics SIRECTIFIER STMicroelectronics
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V - -
Serie STripFET™ V STripFET™ III - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc) 80A (Tc) - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 55 V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 5 V 45 nC @ 10 V - -
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 110W (Tc) - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 24A, 10V 8.5mOhm @ 32A, 10V - -
Grundproduktnummer STD60N STD60N - -

STD60N3LH5 Datenblatt PDF

Laden Sie STD60N3LH5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD60N3LH5 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STD60N3LH5.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

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  • Uri ***al
    2024/06/19

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    2024/06/19

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    2024/06/19

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Europa Deutschland 5
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Japan 4
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