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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD60N55F3
STD60N55F3 Image
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Zahlungsmethode

STD60N55F3 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD60N55F3
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD60N55F3
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Verpackung
DPAK
Datenblatt
1.STD60N55F3.pdf ...

Datenblätter

STx60N55F3.pdf

PCN -Obsoleszenz/ EOL

Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 5090

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Spezifikation

STD60N55F3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD60N55F3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD60N55F3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie STripFET™ III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 32A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer STD60N  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STD60N55F3

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Der STD60N55F3 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor aus der StripFet III-Serie von STMICROELECRICE, die für eine Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen ausgelegt ist.

Produktfunktionen und Leistung

N-Kanal-MOSFET mit 55-V-Drain-Source-Spannung

Niedrige On-Resistenz von 8,5 mΩ @ 32a, 10 V

Hoher kontinuierlicher Abflussstrom von 80a @ 25 ° C

Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 175 ° C

Niedrige Eingangskapazität von 2200PF @ 25V

Max -Leistungsdissipation von 110W @ TC

Produktvorteile

Hervorragende Effizienz und thermische Leistung

Robustes Design für zuverlässigen Betrieb

Geeignet für Hochleistungsanwendungen mit hohem Umschaltungsfrequenz

Kleines DPAK -Paket für das kompakte Schaltungsdesign

Wichtige technische Parameter

Drain-Source-Spannung (VDSS): 55 V

Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 8,5 mΩ @ 32A, 10 V

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 80A @ 25 ° C.

Eingangskapazität (CISS): 2200PF @ 25V

Leistungsdissipation (PD): 110W @ TC

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

AEC-Q101 für Automobilanwendungen qualifiziert

Kompatibilität

Der STD60N55F3 ist mit einer Vielzahl von Stromversorgungs-, Motorkontroll- und Stromumrechnungsanwendungen kompatibel.

Anwendungsbereiche

Netzteile ausgeschaltetem Modus (SMPS)

Wechselrichter und Motorfahrten

PFC -Schaltkreise (Leistungsfaktorkorrektur)

Industrie- und Automobilelektronik

Produktlebenszyklus

Der STD60N55F3 ist ein aktives Produkt und ist derzeit bei STMICROELECTRONICS erhältlich.Es gibt keine Pläne für Absetzen, und es wird erwartet, dass ein langer Lebenszyklus mit fortlaufender Unterstützung und potenziellen Upgrades verfügt.

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hervorragende Effizienz und thermische Leistung für Hochleistungsanwendungen mit hohem Umschaltfrequenz-Anwendungen

Robustes Design und breitem Betriebstemperaturbereich für zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen

Kleines DPAK -Paket für das kompakte Schaltungsdesign

AEC-Q101-Qualifikation für Automobil- und Industrieanwendungen

Verfügbarkeit und langer Lebenszyklus mit fortlaufender Unterstützung durch STMICROELECTRONICS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD60N55F3.

Produkteigenschaften STD60N55F3 STD60N3LH5 STD60NF06T4 STD60GK18B
Artikelnummer STD60N55F3 STD60N3LH5 STD60NF06T4 STD60GK18B
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics SIRECTIFIER
Grundproduktnummer STD60N STD60N STD60 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 48A (Tc) 60A (Tc) -
Serie STripFET™ III STripFET™ V STripFET™ II -
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK -
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 8.8 nC @ 5 V 66 nC @ 10 V -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 32A, 10V 8mOhm @ 24A, 10V 16mOhm @ 30A, 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 60W (Tc) 110W (Tc) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V 1810 pF @ 25 V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 30 V 60 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -

STD60N55F3 Datenblatt PDF

Laden Sie STD60N55F3 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD60N55F3 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx60N55F3.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf
PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf

Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    2024/06/19

    Morrey was very helpful and right on top of things!
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Europa Deutschland 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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