Hersteller Teilnummer
STD75N3llH6
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Leistungsmosfet-Gerät
Produktfunktionen und Leistung
Drain-to-Source-Spannung (VDSS) von 30 V
Extrem niedrige On-Resistenz (RDS (ON)) von 5,5 MOHM
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID) von 75a bei 25 ° C Falltemperatur
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 175 ° C
Schnelle Schalteigenschaften
Kompaktes DPAK -Paket
Produktvorteile
Ausgezeichnetes thermisches Management
Hochleistungsdichte
Verbesserte Effizienz
Reduzierte Stromverluste
Wichtige technische Parameter
VGS (max): ± 20 V
RDS auf (max) @ id, VGS: 5,5MOHM @ 37,5A, 10V
Eingabekapazität (CISS) (MAX) @ VDS: 1690 PF @ 25V
Leistungsdissipation (max): 60 W (TC)
Vgs (th) (max) @ id: 2,5V @ 250a
Gate Ladung (QG) (max) @ VGS: 17 NC @ 4,5 V
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Zuverlässiges und robustes Design
Kompatibilität
Oberflächenhalterung DPAK -Paket
Geeignet für eine Vielzahl von Stromverwaltungs- und Motorsteuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Power Wechselrichter
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktangebot
Ersatz- und Upgrade -Optionen bei STMICROELECTRONICS erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Außergewöhnliche Leistungsfähigkeitsfunktionen
Extrem geringe Aufnahmebereich für eine verbesserte Effizienz
Kompaktes und thermisch effizientes DPAK -Paket
Breiter Betriebstemperaturbereich für vielseitige Anwendungen
Nachgewiesene Zuverlässigkeit und Leistung durch einen vertrauenswürdigen Hersteller
STD70NH02L-1 MOSSTMicroelectronics