Hersteller Teilnummer
STD7N52K3
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor
Produktfunktionen und Leistung
Unterstützt Hochspannung bis zu 525 V.
Niedrige On-Resistenz (RDS (ON)) von 980 MΩ
In der Lage, bis zu 6A mit kontinuierlichem Abflussstrom zu handhaben
Schnelle Schaltgeschwindigkeit und niedrige Gate -Ladung für den effizienten Betrieb
Breiter Betriebstemperaturbereich von bis zu 150 ° C
Produktvorteile
Ausgezeichnete Leistungseffizienz und thermisches Management
Robustes und zuverlässiges Design für industrielle und Automobilanwendungen
Nahtlose Integration in andere Systemkomponenten
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDS): 525 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 980 MΩ
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 6a
Eingangskapazität (CISS): 737 PF
Stromversorgung (PD): 90W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS-3-konform für die Umweltverantwortung
Langlebiges DPAK -Paket für robuste Leistung
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Stromumrechnungs- und Motorsteuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Industrieausrüstung
Automobilsysteme
Netzteile
Wechselrichter und Motorfahrten
Produktlebenszyklus
Derzeit in aktiver Produktion
Keine geplante Absetzung oder Veralterung
Mehrere wichtige Gründe, um dieses Produkt auszuwählen
Hervorragende Leistungsbearbeitung und Effizienz für anspruchsvolle Anwendungen
Zuverlässiges und robustes Design für harte Umgebungen
Nahtlose Integration in andere Systemkomponenten
Kostengünstige Lösung für hochvolumige Anwendungen
Unterstützt von STMICROELECTRONICS -Fachwissen und globalem Support -Netzwerk
STD7N60STMicroelectronics