Hersteller Teilnummer
STF45N65M5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Einzeltransistor -FET, MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
N-Kanal-Mosfet
650 V Drain-Source-Spannung
35A kontinuierlicher Abflussstrom
78mΩ On-Resistenz
3375PF -Eingangskapazität
91nc Gate Ladung
40W Stromversorgung
150 ° C -Anschlusstemperatur
Produktvorteile
Hochspannung und Stromfähigkeit
Niedriges On-Resistenz
Kompaktes To-220-Paket
Wichtige technische Parameter
VDSS: 650 V
VGS (max): ± 25 V
RDS auf (max): 78m Ω
ID (TC): 35A
CISS (max): 3375Pf
Leistungsdissipation (max): 40W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Kompatibilität
To-220-3 Full Packpaket
Rohrverpackung
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Industriekontrollen
Beleuchtungsanwendungen
Produktlebenszyklus
Derzeit verfügbar
Kein Absetzen oder Ersatz geplant
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannung und Stromfähigkeit
Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromumwandlung
Kompaktes To-220-Paket für platzbeschränkte Designs
ROHS3 Compliance für die Umweltverantwortung
Nachgewiesene Zuverlässigkeit und Leistung in industriellen Anwendungen
STF4N62K3 MOSSTMicroelectronics
STF42N60M2-EP