Hersteller Teilnummer
STF4N62K3
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor
Produktfunktionen und Leistung
Optimiert für Hochspannungsschaltanwendungen
Niedrige vor Ort für hohe Effizienz
Hochspannung auf bis zu 620 V
Niedrige Gate -Ladung für schnelles Schalten
Hohe Stromfähigkeit bis zu 3,8a
Produktvorteile
Ausgezeichnetes thermisches Management
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Geeignet für eine Vielzahl von Hochspannungsanwendungen
Wichtige technische Parameter
Spannung (Abfluss-to-Source-Spannung): 620 V
Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 2ω @ 1,9A, 10V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 3,8a @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 550PF @ 50V
Leistungsdissipation (TC): 25w
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
TO-220FP-Paket für eine optimale Wärmeabteilung
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Hochspannungsschaltanwendungen
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Beleuchtungsballasts
Industrieautomatisierung
Kfz -Elektronik
Produktlebenszyklus
Aktives Produkt, nicht kurz vor dem Absetzen
Ersatz- und Upgrade -Optionen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Leistungseffizienz aufgrund von geringer Aufteilung
Zuverlässiges und robustes Design für den Hochspannungsbetrieb
Vielseitige Anwendung in verschiedenen Hochspannungssystemen
Effizientes thermisches Management für langfristige Zuverlässigkeit
ROHS3 Compliance für den umweltfreundlichen Gebrauch
STF4N62K2STMicroelectronics
STF4A60SENIWELL