Hersteller Teilnummer
STF57N65M5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Der STF57N65M5 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO-220FP-Paket, das für die Verwendung in einer Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Motorsteuerungsanwendungen ausgelegt ist.
Produktfunktionen und Leistung
Drain-to-Source-Spannung (VDSS) von 650 V
Niedrige On-Resistenz (RDSON) von 63 Mohm bei 21A, 10 V
Durchgangsabflussstrom (ID) von 42a bei 25 ° C
Eingangskapazität (CISS) von 4200 PF bei 100 V
Leistungsdissipation (PTOT) von 40 W bei 25 ° C
Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C
Produktvorteile
Ausgezeichnete Energieeffizienz durch niedrige Leitungsverluste
Zuverlässiges und robustes Design für anspruchsvolle Anwendungen
Vielseitiges Gerät für eine Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Motorsteuerungssystemen geeignet
Wichtige technische Parameter
VDSS: 650 V
VGS (max): ± 25 V
Rdson (max) @ id, vgs: 63 mohm @ 21a, 10v
ID (kontinuierlich) bei 25 ° C: 42a (TC)
CISS (max) @ vds: 4200 PF @ 100V
PTOT (max): 40W (TC)
Vgs (th) (max) @ id: 5v @ 250a
Qg (max) @ vgs: 98 nc @ 10v
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für hochzuverständliche Anwendungen
Kompatibilität
Überleitungsmontage in bis-220-3-Paket
Anwendungsbereiche
Leistungsumwandlungssysteme
Motorsteuerungsanwendungen
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt befindet sich derzeit in aktiver Produktion und Verfügbarkeit.
Austausch- oder Upgrade -Optionen können bei STMICROELECTRONICS verfügbar sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeiten
Ausgezeichnete Energieeffizienz durch niedrige Aufteilung
Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Anwendungen
Breiter Betriebstemperaturbereich
ROHS3 Compliance für die Umweltsicherheit
STF5N52K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP
STF4N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 4A TO220FP
STF4N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 3A TO220FP