Hersteller Teilnummer
STGD7NB60ST4
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Einzeltransistor IGBT
Produktfunktionen und Leistung
ROHS3 -konform
DPAK -Paket
PowerMesh -Serie
Band- und Rollenverpackung
Betriebstemperatur bis zu 150 ° C
Leistungsbewertung bis zu 55W
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung bis zu 600 V
Sammlerstrom bis zu 15a
Niedrige Sammler-Emitter-Sättigungsspannung von 1,6 V
Torladung von 33nc
Pulsierter Sammlerstrom bis zu 60A
Schnelle Schalteigenschaften (Ein-/Aus-Zeit ~ 700 ns)
Produktvorteile
Kompakte Dpak -Oberflächenmontagepaket
Hochleistungsdichte
Ausgezeichnete thermische Leistung
Schnelle Schaltfähigkeit
Zuverlässiger Betrieb
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremittererbruch (MAX): 600V
Stromsammler (IC) (max): 15a
VCE (ON) (max) @ vge, IC: 1,6 V @ 15V, 7a
Torladung: 33nc
Stromkollektor gepulst (ICM): 60A
Energiewechsel: 3,5mj (aus)
TD (Ein/Aus) bei 25 ° C: 700 ns/-
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Zuverlässiger Betrieb bis zu 150 ° C
Kompatibilität
Oberflächenhalterung DPAK -Paket
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Beleuchtungsanwendungen
Industrielle Elektronik
Produktlebenszyklus
Aktives Produkt
Ersatz und Upgrades verfügbar
Hauptgründe zur Auswahl
Hochleistungsdichte
Schnelle Schaltfähigkeit
Zuverlässiger Hochtemperaturbetrieb
Kompakte Oberflächenmontagepaket
ROHS Compliance
STGD6NC60HDSTMicroelectronics
STGD7NB60SDIR