Hersteller Teilnummer
STGD8NC60KDT4
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
IGBT -Transistor, Single
Produktfunktionen und Leistung
Optimiert für hochfrequente Schaltanwendungen
Schnelle Schaltgeschwindigkeit und niedrige Schaltverluste
Niedriger Spannungsabfall im Zustand
Hochspitzenstromfähigkeit
Robuste Lawinenfähigkeit
Temperaturbetrieb mit hoher Übergangstemperatur bis zu 150 ° C
Produktvorteile
Verbesserte Energieeffizienz
Reduzierte Wärmeabteilung
Kompaktes Design
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 600 V
Sammlerstrom (max): 15a
Spannungsabfall im Stadium: 2,75 V @ 15V, 3a
Reverse -Wiederherstellungszeit: 23,5 ns
Torladung: 19NC
Pulssammlerstrom: 30a
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Für hochverträgliche Anwendungen entwickelt
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von elektronischen Leistungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgungen
Motor fährt
Wechselrichter
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Aktives Produkt, keine Pläne zum Absetzen
Ersatz- oder Upgrade -Optionen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Hochfrequenzwechselleistung
Effiziente Leistungsumwandlung mit geringen Verlusten
Zuverlässiges und robustes Design für anspruchsvolle Anwendungen
Breiter Betriebstemperaturbereich von bis zu 150 ° C
Kompaktes und platzsparendes DPAK-Paket
STGE200NB60SSTMicroelectronics
STGD7NB60SDIR