Hersteller Teilnummer
STGF20M65DF2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Einzeltransistor IGBT
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT
Betriebstemperatur: -55 ° C bis 175 ° C
Leistungsbewertung: 32,6W
Spannungsbewertung: 650 V
Aktuelle Bewertung: 40a (kontinuierlich), 80a (gepulst)
Low VCE (ON): 2V @ 15V, 20a
Schneller Schalter: 26ns (Einschalten), 108ns (Ausschalten)
Niedrige Wechselergie: 140 & mgr; J (Turn-On), 560 & ndash; J (Ausschalten)
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung
Kompaktes und zuverlässiges Design
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Wichtige technische Parameter
IGBT -Typ: Grabenfeld Stopp
Spannungsbewertung: 650 V
Aktuelle Bewertung: 40a (kontinuierlich), 80a (gepulst)
VCE (ON): 2V @ 15V, 20a
Reverse -Wiederherstellungszeit: 166ns
Torladung: 63NC
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
To-220FP-Paket
Geeignet für Hochtemperaturbetrieb
Kompatibilität
Durchläufungsmontage
Anwendungsbereiche
Leistungsumwandlung
Motorkontrolle
Wechselrichter
Schweißausrüstung
Industrielle Anwendungen
Produktlebenszyklus
Derzeit verfügbar
Keine Pläne für die Absetzen
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Effiziente Leistungsfähigkeitsfunktionen
Schnelle und zuverlässige Schaltleistung
Kompaktes und zuverlässiges Paket
Geeignet für Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen
ROHS -Einhaltung der Umweltsicherheit
