Hersteller Teilnummer
STGF15M65DF2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Einzel -IGBT -Gerät (isoliertes Gate Bipolar Transistor)
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT -Technologie
Hochspannung (650 V) und Hochstrom (30A) Handhabungsfähigkeit
Niedrige Spannung auf dem Zustand (VCE (Ein) von 2V @ 15V, 15a)
Schnelles Schalten (TD (Ein/Aus) von 24 ns/93ns)
Niedrige Wechselergie (90 & mgr ;j eingeschaltet, 450 μj aus)
Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 ° C bis 175 ° C)
Produktvorteile
Hohe Effizienz aufgrund niedriger Leitungs- und Schaltverluste
Zuverlässige Leistung in Hochleistungsanwendungen
Kompakt und einfach zu integrieren Design
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung (BVCEO): 650 V
Sammlerstrom (IC): 30a (max)
Gepulster Kollektorstrom (ICM): 60A
On-State-Spannung (VCE (ON)): 2V @ 15V, 15a
Reverse Recovery Time (TRR): 142ns
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
TO-220FP-Paket für zuverlässige thermische Verwaltung
Kompatibilität
Geeignet für eine breite Palette von Hochleistungsanwendungen für Industrie- und Unterhaltungselektronik
Anwendungsbereiche
Motor fährt
Netzteile
Wechselrichter
Schweißausrüstung
Industrieautomatisierung
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt befindet sich derzeit in der Produktion und nähert sich nicht dem Absetzen.
Ersatz- oder verbesserte Produkte können in Zukunft mit der Entwicklung der Technologie erhältlich sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Leistung und Effizienz aufgrund fortschrittlicher IGBT -Technologie
Zuverlässiges und robustes Design für anspruchsvolle Hochleistungsanwendungen
Breiter Betriebstemperaturbereich für vielseitige Verwendung
Kompakt und einfach zu integrieren Paket
ROHS3 Compliance für die Umweltverantwortung
