Hersteller Teilnummer
STGP20NC60V
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs isoliertes Gate Bipolar Transistor (IGBT) für Industrie- und Verbraucheranwendungen.
Produktfunktionen und Leistung
600 -V -Bruchspannung
60A -Sammlerstrom
200 -W -Leistungsbewertung
Schneller Schalten mit niedriger Gate -Ladung
Niedriger Spannungsabfall im Zustand
Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 ° C bis 150 ° C)
Ausgezeichnete Kurzschlussfunktion
Produktvorteile
Optimiert für eine hohe Effizienz-Leistungsumwandlung
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Kompaktes To-220-Paket für eine einfache Integration
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 600 V
Sammlerstrom (max): 60a
Power Dissipation: 200W
Torladung: 100 NC
Schaltzeiten (TON/TOFF): 31NS/100 Ns
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Entwickelt für Industrie- und Verbraucheranwendungen
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von elektronischen Stromversorgungssystemen und Anwendungen
Anwendungsbereiche
Motor fährt
Schweißausrüstung
Induktionsheizung
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Haushaltsgeräte
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt, kein Absetzen geplant
Bei Bedarf Ersatz- oder Upgrade -Optionen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungs-IGBT mit hervorragender Effizienz und Zuverlässigkeit
Breiter Betriebstemperaturbereich für vielseitige Anwendungen
Kompaktes und leicht integriertes Paket
Robustes Design für anspruchsvolle Stromumrechnungssysteme
Kostengünstige Lösung für Industrie- und Verbraucheranwendungen
STGP30H65DFB2STMicroelectronicsIGBT 600V 60A 258W TO220AB