Hersteller Teilnummer
STGP30H60DFB
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Einzeltransistor IGBT
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT
Hochleistungsbeschaffungsfähigkeit (260 W)
Hochspannung (600 V)
Hochstrombewertung (60A)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit (auf 37 ns, aus 146 ns)
Niedrige Leitungsverluste (VCE (ON) 2V @ 15V, 30a)
Niedrige Schaltverluste (auf 383J, aus 293J)
Produktvorteile
Robustes und zuverlässiges Design
Geeignet für hohe Stromversorgung und Hochfrequenzanwendungen
Optimiert für Effizienz und Leistung
Wichtige technische Parameter
Spannungsbewertung: 600 V
Aktuelle Bewertung: 60a
Leistungsbewertung: 260W
Schaltgeschwindigkeit: 37ns (Ein), 146ns (aus)
Leitungsverluste: 2V @ 15V, 30a
Verluste umschalten: 383J (Ein), 293J (aus)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Qualitätsqualität der industriellen Klasse
Kompatibilität
To-220 Paket
Durch Lochmontage
Anwendungsbereiche
Motor fährt
Power -Konverter
Induktionsheizung
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Industrieausrüstung
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Ersatz-/Upgrade -Teile verfügbar
Hauptgründe zur Auswahl
Hochleistungshandling
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Niedrige Leitung und Schaltverluste
Robustes und zuverlässiges Design
Geeignet für hocheffiziente Anwendungen mit Hochleistungsanwendungen
