Hersteller Teilnummer
STGW28IH125DF
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungsgraben Gate Field Stop IGBT im TO-247-Paket
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield -Stop -IGBT -Technologie für hohe Effizienz und niedrige Verluste
Entwickelt für Industriemotorfahrten, Wechselrichter und andere Hochleistungsanwendungen
Niedriger VCE (ON) für verringerte Leitungsverluste
Schnelle Schaltkapazität mit niedrigem EON und EOFF
Produktvorteile
Ausgezeichnete thermische und elektrische Leistung
Kompaktes und robustes To-247-Paket
Optimiert für Hochleistungsanwendungen, hocheffiziente Anwendungen
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Spannung (VCES): 1250 V
Sammlerstrom (IC): 60A
Typisches VCE (ON): 2,5 V @ 15V, 25a
Gate Ladung (QG): 114nc
Energieschieben (EON + EOFF): 720MJ
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Entworfen und hergestellt nach qualitativ hochwertigen Standards
Kompatibilität
Geeignet für Industriemotorfahrten, Wechselrichter und andere Hochleistungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Industriemotorfahrten
Power Wechselrichter
Schweißausrüstung
UPS -Systeme
Erneuerbare Energiesysteme
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt befindet sich derzeit in der Produktion und nähert sich nicht dem Absetzen.Austausch- oder Upgrade -Optionen können verfügbar sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete elektrische und thermische Leistung für Hochleistungsanwendungen
Robustes und zuverlässiges TO-247-Paket
Optimiert für hohe Effizienz und niedrige Verluste
Schnelle Schaltfähigkeit für eine verbesserte Systemleistung
Umfangreiche Anwendungsunterstützung und Verfügbarkeit eines vertrauenswürdigen Herstellers
STGW30N120KDSTMicroelectronics