Hersteller Teilnummer
STGW30H65FB
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungsstufe, schneller 650-V-Graben-IGBT für industrielle Anwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT -Technologie
Niedrige Leitung und Schaltverluste
Hochgeschwindigkeitsschaltfähigkeit
Optimiert für den Hochfrequenzbetrieb
Robuste Kurzschlussfunktion
Ausgezeichnete Thermalradleistung
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung
Hohe Zuverlässigkeit
Kompaktes Design
Verbesserte Systemeffizienz
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremittererbruch (max): 650 V
Stromsammler (IC) (max): 30 a
VCE (ON) (max) @ vge, IC: 2 V @ 15 V, 30 a
Torladung: 149 NC
Stromkollektor gepulst (ICM): 120 a
Energiewechsel: 151 J (Ein), 293 J (aus)
TD (Ein/Aus) bei 25 ° C: 37 ns/146 ns
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Für einen zuverlässigen und sicheren Betrieb ausgelegt
Kompatibilität
Durchläufungsmontage (bis-247-Paket)
Geeignet für Industriekraftanwendungen
Anwendungsbereiche
Industriemotorfahrten
Power Wechselrichter
Schweißausrüstung
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Erneuerbare Energiesysteme
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist ein aktives und weit verbreitetes IGBT im STMICROELECTRONICS -Portfolio.
Austausch- oder verbesserte Modelle können in Zukunft verfügbar sein, wenn sich die Technologie entwickelt.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Effiziente Leistungsumwandlung mit geringer Leitung und Schaltverlusten
Hochgeschwindigkeitsschaltfunktion für eine verbesserte Systemeffizienz
Robustes Design und ausgezeichnete Thermalradleistung für zuverlässigen Betrieb
Kompaktes und kompatibles Paket für eine einfache Integration in industrielle Anwendungen
Bewährte Technologie und Unterstützung eines seriösen Herstellers (STMICROELECTRONICS)
STGW30M65DF2STMicroelectronics
STGW30NC60KDSTMicroelectronicsIGBT 600V 60A 200W TO247