Hersteller Teilnummer
STGW40NC60KD
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-Hochgeschwindigkeits-IGBT-Transistor
Produktfunktionen und Leistung
Optimiert für hochfrequente, hocheffiziente Leistungskonvertierungsanwendungen
Robustes und zuverlässiges Design
Niedrige Leitung und Schaltverluste
Schnelle Schaltfähigkeit
Hochstromabrechnungskapazität
Breiter Betriebstemperaturbereich
Produktvorteile
Ausgezeichnete thermische Leistung
Verbesserte Effizienz
Reduzierte Systemgröße und Gewicht
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Spannung (VCES): 600 V
Sammlerstrom (IC): 70 a
Collector-Emitter-Sättigungsspannung (VCE (SAT)): 2,7 V @ 15 V, 30 a
Reverse Recovery Time (TRR): 45 ns
Gate Ladung (QG): 135 NC
Energieschaltung (EON/EOFF): 595 μJ/716 μJ
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS -konform
Entwickelt, um Sicherheits- und Zuverlässigkeitsstandards zu erfüllen
Kompatibilität
Geeignet für die Verwendung in verschiedenen Stromumrechnungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Schweißausrüstung
Industrieautomatisierung
Erneuerbare Energiesysteme
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit verfügbar und nähert sich nicht nähert die Abnahme
Austausch- oder Upgrade -Optionen können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hohe Effizienz und Leistungsdichte
Robuste und zuverlässige Leistung
Schnelle Schaltfähigkeit für hochfrequente Anwendungen
Ausgezeichnetes thermisches Management für eine verbesserte Systemzuverlässigkeit
Kompatibilität mit einer Vielzahl von Leistungskonvertierungsanwendungen
STGW40NC60WDKSTM
STGW39NC60WDSTMicroelectronics