Hersteller Teilnummer
STGW40V60DF
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-Hochleistungs-IGBT-Transistor mit hoher Leistung
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT -Technologie
Sehr niedriger Spannungsabfall im Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Hohe Kurzschlussfunktion
Niedrige Schaltverluste
Robustes und zuverlässiges Design
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung
Hochfrequenzbetrieb
Kompaktes Design
Verbesserte Systemeffizienz
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremittererbruch (MAX): 600 V.
Stromsammler (IC) (max): 80 a
VCE (ON) (max) @ vge, IC: 2,3V @ 15V, 40a
Reverse Recovery Time (TRR): 41 ns
Torladung: 226 NC
Stromkollektor gepulst (ICM): 160 a
Energiewechsel: 456J (Ein), 411j (aus)
TD (Ein/Aus) bei 25 ° C: 52NS/208NS
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Erfüllt hochzuverständliche Standards
Kompatibilität
Geeignet für eine breite Palette von Stromumrechnungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Motor fährt
Netzteile
Wechselrichter
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Schweißausrüstung
Industrieautomatisierung
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt befindet sich derzeit in aktiver Produktion und nähert sich nicht dem Absetzen.
Austausch- oder verbesserte Modelle können in Zukunft verfügbar sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hervorragende Leistung und Effizienz
Zuverlässiges und robustes Design
Kompakt und einfach zu integrieren
Geeignet für Hochleistungsanwendungen, Hochfrequenzanwendungen
Bewährte Technologie aus einem führenden Halbleiterhersteller
STGW45HF60WDISTMicroelectronicsIGBT 600V 70A 250W TO247
STGW40NC60WDKSTM