Hersteller Teilnummer
STGW80H65DFB
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-IGBT-Transistor für Industrie- und Leistungselektronikanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT -Technologie
650 V Collector-Emitter-Breakdown-Spannung
120A -Sammlerstrom (max)
469W Power Dissipation (max)
Schnelles Umschalten mit 85 ns Reverse Recovery -Zeit
Niedriger VCE (auf) von 2V @ 15V, 80A
414nc Gate Ladung
Produktvorteile
Hochleistungsdichte und Effizienz
Robuste und zuverlässige Leistung
Geeignet für Hochleistungs-Industrieanwendungen
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Spannung: 650 V
Sammlerstrom: 120a
VCE (ON): 2V @ 15V, 80A
Reverse -Wiederherstellungszeit: 85 ns
Torladung: 414nc
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Qualifiziert für Industrie- und Automobilanwendungen
Entwickelt für einen sicheren und zuverlässigen Betrieb
Kompatibilität
To-247-3 Paket
Geeignet für eine breite Palette von Industrie -Strom -Elektroniksystemen
Anwendungsbereiche
Industriemotorfahrten
Power Wechselrichter und Konverter
Schweißausrüstung
HLK -Systeme
Erneuerbare Energiesysteme
Produktlebenszyklus
Derzeit in aktiver Produktion
Keine Pläne für die Abnahme identifiziert
Austausch- oder Upgrade -Optionen können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungsdichte und Effizienz
Robuste und zuverlässige Leistung
Geeignet für anspruchsvolle industrielle Anwendungen
Schnelles Schalten und niedriges VCE (ON) für eine verbesserte Systemeffizienz
Kompatibilität mit weit verbreitetem TO-247-Paket
