Hersteller Teilnummer
STGW80H65DFB-4
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungsgraben-Field-Stop-IGBT-Modul
Produktfunktionen und Leistung
Hochleistungsdichte
Niedrige Leitung und Schaltverluste
Schnelle Schaltfähigkeit
Hohe Übergangstemperatur bis zu 175 ° C
Robustes und zuverlässiges Design
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung
Kompaktes und leichtes Design
Geeignet für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen
Ausgezeichnetes thermisches Management
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Spannung (VCES): 650 V
Sammlerstrom (IC): 120a
Spannungsabfall auf dem Zustand (VCE (ON)): 2V @ 15V, 80A
Reverse Recovery Time (TRR): 85 ns
Gate Ladung (QG): 414nc
Energieschaltung (EON/EOFF): 2,1MJ/1,5MJ
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Entwickelt für hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer
Kompatibilität
Kompatibel mit Standard -IGBT -Gate -Treibern und Steuerungssystemen
Anwendungsbereiche
Industriemotorfahrten
Netzteile
Erneuerbare Energiesysteme
Traktions- und Transportanwendungen
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktangebot
Austausch und Upgrades können verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hohe Effizienz und niedrige Verluste
Schnelle Schaltfähigkeit für hochfrequente Anwendungen
Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Umgebungen
Kompakte und leichte Konstruktion für platzbeschränkte Designs
Ausgezeichnetes thermisches Management für Hochleistungsanwendungen
