Hersteller Teilnummer
STGWA15M120DF3
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannung mit hohem IGBT (isolierter Gate Bipolar Transistor) Vorrichtung
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfield Stop IGBT -Technologie
Niedrige Sättigungsspannung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Hochstromabrechnungsfähigkeit
Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 ° C bis 175 ° C)
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung und Kontrolle
Zuverlässige und robuste Leistung
Kompakt und einfach zu integrieren
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 1200 V
Sammlerstrom (max): 30a
Collector-Emitter-Sättigungsspannung: 2,3 V @ 15V, 15a
Reverse -Wiederherstellungszeit: 270ns
Torladung: 53nc
Pulssammlerstrom: 60a
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
To-247 Long Leads-Paket
Für einen zuverlässigen und sicheren Betrieb ausgelegt
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von elektronischen Leistungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Wechselrichter
Schweißausrüstung
Induktionsheizung
Andere elektronische Hochleistungssysteme
Produktlebenszyklus
Dieses IGBT -Modell ist derzeit in Produktion und wird vom Hersteller aktiv unterstützt.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hohe Leistung und Effizienz
Robustes und zuverlässiges Design
Breiter Betriebstemperaturbereich
Einfache Integration in elektronische Stromversorgungssysteme
Kostengünstige Lösung für Hochleistungsanwendungen
