Hersteller Teilnummer
STL18N60M2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannung und Hochleistungs-N-Kanal-PowerMos-Transistor
Produktfunktionen und Leistung
600-V-MOSFET mit geringem Auftragsresistenz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Hochleistungsdichte
Robustes und zuverlässiges Design
Geeignet für Hochleistungsschaltanwendungen
Produktvorteile
Ausgezeichnete thermische Leistung
Hochspannungsfähigkeit
Niedrige Gate -Ladung für effizientes Schalten
Reduzierte Stromverluste
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 600 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 308mΩ @ 4,5A, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 9a @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 791PF @ 100V
Leistungsdissipation: 57W @ TC
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für hochzuverständliche Anwendungen
Kompatibilität
Kompatibel mit verschiedenen Hochleistungsschaltkreisen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgungen
Motor fährt
Induktionsheizung
Beleuchtungsballasts
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Ersatz- oder verbesserte Modelle können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannungsfähigkeit
Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromumwandlung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit für den Hochfrequenzbetrieb
Robustes und zuverlässiges Design für den langfristigen Gebrauch
Ausgezeichnete thermische Leistung für Hochleistungsanwendungen
Kompatibilität mit verschiedenen Hochleistungsschaltkreisen
