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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL18NM60N
STMicroelectronics
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STL18NM60N - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL18NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL18NM60N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL18NM60N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21820

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Spezifikation

STL18NM60N Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL18NM60N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL18NM60N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (8x8) HV  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.1A (Ta), 12A (Tc)  
Grundproduktnummer STL18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL18NM60N.

Produkteigenschaften STL18NM60N STL160NS3LLH7 STL16N1VH5 STL16N65M5
Artikelnummer STL18NM60N STL160NS3LLH7 STL16N1VH5 STL16N65M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 50 V 3245 pF @ 25 V 2085 pF @ 12 V 1250 pF @ 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.3V @ 1mA 500mV @ 250µA (Min) 5V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 30 V 12 V 650 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310mOhm @ 6A, 10V 2.1mOhm @ 18A, 10V 3mOhm @ 8A, 4.5V 299mOhm @ 6A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±8V ±25V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 20 nC @ 4.5 V 26.5 nC @ 4.5 V 31 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.1A (Ta), 12A (Tc) 160A (Tc) 16A (Tc) 12A (Tc)
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 110W (Tc) 84W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) 3W (Ta), 90W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (8x8) HV
Serie MDmesh™ II DeepGATE™, STripFET™ VII STripFET™ V MDmesh™ V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer STL18 STL160 STL16 STL16

STL18NM60N Datenblatt PDF

Laden Sie STL18NM60N PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL18NM60N - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8603 21/Jul/2014.pdf
Datenblätter
STL18NM60N.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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