Hersteller Teilnummer
STP185N55F3
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Power-MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
Optimiert für hocheffiziente Leistungskonvertierungsanwendungen
Niedrige On-Resistenz und schnelles Umschalten
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Stand hoher Spannungsstress stand
Produktvorteile
Ausgezeichnete thermische Leistung
Zuverlässiges und robustes Design
Effiziente Leistungsumwandlung
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 55 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 3,8 mΩ @ 60A, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 120a @ 25 ° C
Leistungsdissipation (PTOT): 330W @ TC
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
MOSFET -Technologie für hohe Zuverlässigkeit
Kompatibilität
Kompatibel mit verschiedenen Leistungskonvertierungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Leistungsfaktorkorrektur
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Aktives Produkt
Ersatz- und Upgrade -Optionen verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hervorragende thermische Leistung für die effiziente Leistungsumwandlung
Zuverlässiges und robustes Design für den langfristigen Betrieb
Optimiert für hocheffiziente Leistungskonvertierungsanwendungen
Breite Palette von technischen Parametern für verschiedene Strombedürfnisse
STP180NF55F3STMicroelectronics