Hersteller Teilnummer
STP18N65M5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungsleistung MOSFET in der Mdmesh V-Serie
Entwickelt für Hochspannungsanwendungen mit Hochleistungsschaltanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
650 V Drain-to-Source-Spannung
15a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C
220 mΩ Maximal On-Resistenz bei 7,5a, 10 V
Niedrige Torladung von 31 nc bei 10 V
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C
Niedrige Eingangskapazität von 1240PF bei 100 V
Produktvorteile
Hervorragende Leistung für Hochspannung, Hochleistungsschalter
Effiziente Leistungsumwandlung mit geringer Aufnahme und Gate-Ladung
Zuverlässiger Betrieb über weite Temperaturbereiche hinweg
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 650 V
Maximale Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID) bei 25 ° C: 15a
On-Resistenz (RDS (ON)) bei 7,5a, 10 V: 220 mΩ
Eingangskapazität (CISS) bei 100V: 1240PF
Leistungsdissipation bei 25 ° C: 110W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
TO-220-Paket für eine zuverlässige Überleitungsmontage
Kompatibilität
Geeignet für Hochspannung, Hochleistungsschaltanwendungen wie Netzteile, Motorantriebe und Wechselrichter
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Industrielle Elektronik
Produktlebenszyklus
Aktives Produkt, kein Hinweis auf Absetzen
Austausch und Upgrades können bei STMICROELECTRONICS erhältlich sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hervorragende Leistung für Hochspannung, Hochleistungsschalter
Effiziente Leistungsumwandlung mit geringer Aufnahme und Gate-Ladung
Zuverlässiger Betrieb über weite Temperaturbereiche hinweg
ROHS3 Compliance für die Umweltverantwortung
In Industrie- und Energieelektronikanwendungen häufig eingesetzt
STP19NB20FPSTMicroelectronics