Hersteller Teilnummer
STP24N60DM2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Power-MOSFET
Entwickelt für hochfrequente Schaltanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 600 V
Durchgangsabflussstrom (ID): 18a bei 25 ° C
Widerstand auf dem Staat (RDS (ON)): 200 mΩ max.bei 9a, 10V
Eingangskapazität (CISS): 1055PF max.bei 100V
Leistungsdissipation (TC): 150W
Produktvorteile
Niedriger Widerstand gegen den Staat gegen hohe Effizienz
Hochdrainer-zu-Source-Spannung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit für Hochfrequenzanwendungen
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Wichtige technische Parameter
MOSFET-Technologie: N-Kanal
Schwellenspannung (VGS (TH)): 5V max.bei 250a
Maximale Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
Betriebstemperaturbereich: -55 ° C bis 150 ° C
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Hergestellt in einer TS16949 -zertifizierten Einrichtung
Kompatibilität
Geeignet für hochfrequente SMPS-Anwendungen (Switched-Mode Netzteil)
Kann in Motorantrieben, Elektrowerkzeugen, Industriegeräten und anderen Stromumrechnungssystemen eingesetzt werden
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist ein aktiver und weit verbreiteter Teil
Austausch- oder Upgrade -Optionen sind bei STMICROELECTRONICS und anderen Herstellern erhältlich
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnetes Verhältnis von Leistung zu Kosten
Nachgewiesene Zuverlässigkeit und Haltbarkeit
Breiter Betriebstemperaturbereich
Eignung für hochfrequente Stromumrechnungsanwendungen mit hoher Effizienz-Leistungsanwendungen
Einhaltung der ROHS -Vorschriften für umweltfreundliches Design
STP24NM60STMicroelectronics
STP2434ALF-26MHZRAKON