Hersteller Teilnummer
STP38N65M5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Der STP38N65M5 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor, der für die Verwendung in verschiedenen Leistungselektronikanwendungen entwickelt wurde.
Produktfunktionen und Leistung
650 V Drain-to-Source-Spannung
95 mΩ Maximal On-Resistenz bei 15a, 10 V
30a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C
190W maximale Leistungsdissipation bei TC
150 ° C Maximale Anschlusstemperatur
Niedrige Eingangskapazität von 3000PF bei 100 V
Schnelle Schalteigenschaften
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung und Kontrolle
Geeignet für Hochspannungsanwendungen mit hoher Stromanwendungen
Robuste und zuverlässige Leistung
Optimiert für niedrige Stromverluste und hohe Effizienz
Wichtige technische Parameter
Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 650 V
Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 95m Ω @ 15a, 10V
Abflussstrom (ID): 30a (TC)
Leistungsdissipation (PD): 190W (TC)
Übergangstemperatur (TJ): 150 ° C
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Geeignet für harte Umgebungen
Robuste und zuverlässige Konstruktion
Kompatibilität
Kompatibel mit verschiedenen Leistungselektronikanwendungen
Geeignet für den Einsatz in Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Schweißausrüstung
Induktionsheizung
Beleuchtungsballasts
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit in der Produktion und ist nicht nahezu abgesetzt.
Austausch- oder Upgrade -Optionen können bei STMICROELECTRONICS verfügbar sein.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannungs- und Hochstromfähigkeit
Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromumwandlung
Robuste und zuverlässige Leistung in harten Umgebungen
Optimiert für niedrige Stromverluste und hohe Effizienz
Kompatibilität mit einer Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen
STP36N55M5 MOSSTMicroelectronics
STP3788ADBASEIKO EPSON