Hersteller Teilnummer
STP6N62K3
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Power-MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
Entwickelt für hocheffiziente Stromversorgung und Motorantriebsanwendungen
Optimiert für schnelles Schalten und einen geringen Widerstand im Zustand
Geeignet für 48 V-, 120 V- und 230 -V -Systeme
Produktvorteile
Robuste und zuverlässige Leistung
Ausgezeichnetes thermisches Management
Effiziente Leistungsumwandlung
Wichtige technische Parameter
Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 620 V.
VGS (max): ± 30 V
RDS auf (max) @ id, VGS: 1,2 Ohm @ 2,8 a, 10 V.
Strom kontinuierlicher Abfluss (ID) bei 25 ° C: 5,5 a (TC)
Leistungsdissipation (max): 90 W (TC)
Vgs (th) (max) @ id: 4.5 V @ 50 a
Gate Ladung (QG) (max) @ VGS: 34 NC @ 10 V.
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Entwickelt für hohe Zuverlässigkeit und langfristige Leistung
Kompatibilität
Durchläufe Montage (bis-220-Paket)
Geeignet für eine Vielzahl von Stromversorgungs- und Motorantriebsanwendungen
Anwendungsbereiche
Hocheffiziente Stromversorgungen
Motor fährt
Industrieautomatisierung
Erneuerbare Energiesysteme
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist derzeit in Produktion und die Verfügbarkeit ist gut
Austausch oder Upgrades können in Zukunft im Laufe der Technologie verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Leistung und Zuverlässigkeit
Effiziente Leistungsumwandlung
Robustes und vielseitiges Design
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen
Einhaltung der Branchenstandards und -vorschriften
STP6NA60FI MOSSTMicroelectronics
STP6N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
STP6N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 9A TO220-3
STP6N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 6A TO220