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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTP6N65M2
STP6N65M2 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen
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STP6N65M2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STP6N65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STP6N65M2
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Verpackung
TO-220
Datenblatt
1.STP6N65M2.pdf ...

Datenblätter

ST(F,P,U)6N65M2.pdf

PCN -Obsoleszenz/ EOL

Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
Unsere Zertifizierung
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Steuer- und Lieferkosten sind im Preis nicht inbegriffen, detailliert findet man ihn auf der Sendungsseite
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Spezifikation

STP6N65M2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STP6N65M2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STP6N65M2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 226 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer STP6N  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STP6N65M2

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor für Leistungsumwandlungs- und Kontrollanwendungen.

Produktfunktionen und Leistung

Hohe Breakdown -Spannung von 650 V

Niedrige On-Resistenz (RDS (ON)) von 1,35 Ω @ 2a, 10 V

Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C

Niedrige Eingangskapazität von 226PF @ 100V

Kontinuierlicher Abflussstrom von 4a bei 25 ° C

Leistungsdissipation bis zu 60 W

Produktvorteile

Hervorragende Leistung für die Leistungsumwandlung und -kontrolle

Hoher Effizienz und niedriger Stromverlust

Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Anwendungen

Kompatibilität mit einer Vielzahl von Systemen und Spannungen

Wichtige technische Parameter

Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 650 V

Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V

Schwellenspannung (VGS (TH)): 4V @ 250A

On-Resistenz (RDS (ON)): 1,35 Ω @ 2A, 10 V

Eingangskapazität (CISS): 226PF @ 100V

Leistungsdissipation (TC): 60W

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Erfüllt strenge Qualitäts- und Zuverlässigkeitsstandards

Sicherer und zuverlässiger Betrieb in verschiedenen Anwendungen

Kompatibilität

Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen

Kompatibel mit verschiedenen industriellen, Automobil- und Unterhaltungselektroniksystemen

Anwendungsbereiche

Netzteile

Motor fährt

Wechselrichter

Regulierungsbehörden wechseln

Industrieautomatisierung und Kontrolle

Produktlebenszyklus

Derzeit in aktiver Produktion

KEINE Absachen oder Pläne am Lebensende angekündigt

Austausch- oder Upgrade -Optionen können in Zukunft verfügbar sein

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hohe Leistung und Effizienz für die Leistungsumwandlung und Kontrolle

Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Anwendungen

Breiter Betriebstemperaturbereich und Kompatibilität

Erfüllt die Branchenstandards und -vorschriften für Qualität und Sicherheit

Kostengünstige Lösung für verschiedene Leistungselektronikanwendungen

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STP6N65M2.

Produkteigenschaften STP6N60M2 STP6N62K3 STP6N52K3 STP6N95K5
Artikelnummer STP6N60M2 STP6N62K3 STP6N52K3 STP6N95K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verpackung / Gehäuse - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Paket - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
Grundproduktnummer - DAC34H84 MAX500 ADS62P42
Drain-Source-Spannung (Vdss) - - - -
Typ FET - - - -
Vgs (Max) - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Technologie - - - -
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - -
Befestigungsart - Surface Mount Through Hole Surface Mount
Betriebstemperatur - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - - - -
Supplier Device-Gehäuse - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) - - - -

STP6N65M2 Datenblatt PDF

Laden Sie STP6N65M2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STP6N65M2 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
ST(F,P,U)6N65M2.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018.pdf

Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    2024/06/19

    Morrey was very helpful and right on top of things!
    He replied quickly to my RFQ. He was very courteous and professional.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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