Hersteller Teilnummer
STW11NB80
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannung mit Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET
Produktfunktionen und Leistung
Unterstützt Hochspannung bis zu 800 V
Durchgangsabflussstrom bis zu 11A bei 25 ° C
Niedrige On-Resistenz bis 800 mΩ
Hochleistungsdissipation bis zu 190 W
Schneller Schalten mit niedriger Gate -Ladung
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Produktvorteile
Ausgezeichnete Spannungs- und Stromhandhabungsfähigkeit
Hoher Effizienz und niedriger Stromverlust
Robustes Design für zuverlässige Leistung
Benutzerfreundlichkeit mit einfachen Gate Drive -Anforderungen
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 800 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 800 mΩ @ 5,5A, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 11a @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 2900PF @ 25V
Leistungsdissipation (PTOT): 190W @ TC
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS nicht konform
TO-247-3-Paket für sichere Montage- und Wärmeableitungen
Entwickelt für hohe Zuverlässigkeit und robuste Anwendungen
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Hochspannungsanwendungen mit Hochspannungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Schweißausrüstung
Industrieautomatisierung und Kontrolle
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist ein etablierter Bestandteil der PowerMesh -Serie
Austausch oder Upgrades können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete Spannungs- und Stromhandhabungsfähigkeit für Hochleistungsanwendungen
Hoher Effizienz und niedriger Stromverlust für eine verbesserte Systemleistung
Robustes und zuverlässiges Design für den langfristigen, kontinuierlichen Betrieb
Einfach zu bedienen mit einfachen Gate Drive -Anforderungen
STW11NB80 W11NB80STMicroelectronics
STW1149AS-TRSTANIEY
STW10NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
STW120NF10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 110A TO247-3