Hersteller Teilnummer
STW20NB50
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannungs-MOSFET-Transistor mit hohem Strom
Produktfunktionen und Leistung
500 V Drain-to-Source-Spannung
20a kontinuierlicher Abflussstrom
250 mΩ Maximal On-Resistenz
4700PF Maximale Eingangskapazität
110 NC Maximale Gate -Ladung
250W maximale Leistung Dissipation
150 ° C Maximale Anschlusstemperatur
Produktvorteile
Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeit
Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromumwandlung
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Wichtige technische Parameter
VDSS: 500 V
VGS (max): ± 30 V
RDS (ON): 250 mΩ @ 10a, 10 V
ID (max): 20a @ 25 ° C
CISS: 4700PF @ 25V
PD (max): 250W @ TC
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS nicht konform
TO-247-3-Paket für die Durchmesser-Loch-Montage
Kompatibilität
Geeignet für Hochleistungsschaltanwendungen
Kann in Netzteilen, Motorantrieben und anderen Stromeelektronik verwendet werden
Anwendungsbereiche
Hochleistungsschalter
Leistungsumwandlung
Motorkontrolle
Industrielle Elektronik
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt ist ein etabliertes Leistungsmosfet in der Serie STMICROELECTRONICS PowerMesh
Ersatz- oder verbesserte Modelle können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeiten
Niedrige On-Resistenz für effiziente Stromumwandlung
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Etabliertes Produkt mit zuverlässiger Leistung
TO-247-3-Paket bietet eine robuste Montage
STW20NK50Z MOSSTMicroelectronics