Hersteller Teilnummer
STW20NK50Z
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochspannungs-Hochleistungs-MOSFET-Transistor
Produktfunktionen und Leistung
N-Kanal-Mosfet
500 V Drain-Source-Spannung
17a kontinuierlicher Abflussstrom
270 mΩ Maximal On-Resistenz
2600PF Maximale Eingangskapazität
190W maximale Leistung Dissipation
150 ° C Maximale Anschlusstemperatur
ROHS3 -konform
Produktvorteile
Effiziente und zuverlässige Stromschaltung
Geeignet für Hochspannungsanwendungen, Hochleistungsanwendungen
Niedriger Aufnahmebereich bei geringem Stromverlust
Kompaktes TO-247-3-Paket
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 500 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 30 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 270 mΩ @ 8,5A, 10 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 17a @ 25 ° C
Eingangskapazität (CISS): 2600PF @ 25V
Leistungsdissipation (PTOT): 190W @ TC
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Zuverlässiges TO-247-3-Paket
Kompatibilität
Geeignet für den Einsatz in Hochleistungsschaltanwendungen
Anwendungsbereiche
Netzteile
Motor fährt
Wechselrichter
Schweißausrüstung
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Derzeit verfügbar
Keine bekannten Absachenpläne
Hauptgründe zur Auswahl
Hochspannung und Stromfähigkeit
Niedrige vor Ort für hohe Effizienz
Kompaktes und zuverlässiges Paket
Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen
STW20N95K5 MOSSTMicroelectronics