Hersteller Teilnummer
STW43N60DM2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit geringer Anlehnung und schnellen Schalteigenschaften
Produktfunktionen und Leistung
600 V Drain-Source-Spannung
93m underes Beständigkeit bei 10-V-Gate-Source-Spannung
34a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C
2500PF -Eingangskapazität
250W Leistungsdissipation
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 150 ° C
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Produktvorteile
Niedrige vor Ort für hohe Effizienz
Schneller Schalter für hochfrequente Anwendungen
Hochleistungsdichte
Zuverlässiger Betrieb in harten Umgebungen
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 600 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 93mΩ @ 17A, 10 V
Abflussstrom (ID): 34a (TC)
Eingangskapazität (CISS): 2500PF @ 100V
Leistungsdissipation (PTOT): 250W (TC)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
TO-247-3-Paket für zuverlässige thermische Verwaltung
Kompatibilität
Durchläufungsmontage
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Industrieautomatisierung und Kontrolle
Telekommunikations- und Server -Netzteile
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produkt, kein Hinweis auf Absetzen
Austausch und Upgrades können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hohe Leistung mit geringem Aufnahmebereich und schnellem Umschalten
Zuverlässiger Betrieb in harten Umgebungen
Effiziente Leistungsumwandlung für hochfrequente Anwendungen
Kompaktes und thermisch effizientes Paketdesign
ROHS3 Compliance für die Umweltverantwortung
STW43NM60N 43NM60NSTMicroelectronics
STW4511BHSTM