Hersteller Teilnummer
STW45N65M5
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Mdmesh V-Leistungsmosfet
Produktfunktionen und Leistung
650 V Breakdown -Spannung
Sehr niedrige On-Resistenz: 78 MΩ
Niedrige Gate -Ladung: 91 NC
Hohe Stromfähigkeit: 35A kontinuierlicher Abflussstrom
Hochleistungshandhabung: 210W
Produktvorteile
Überlegene Effizienz bei Stromumrechnungsanwendungen
Reduzierte Schaltverluste
Kompaktes Design, das durch Hochleistungsdichte ermöglicht wird
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 650 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 35a
On-Resistenz (RDS (ON)): 78 MΩ
Eingangskapazität (CISS): 3375 PF
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
TO-247-3 Paket für zuverlässigen Betrieb
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Industrieautomatisierung
Erneuerbare Energiesysteme
Produktlebenszyklus
Dieses Produkt wird vom Hersteller aktiv unterstützt
Upgrades und Austausch können in Zukunft verfügbar sein
Hauptgründe zur Auswahl
Hervorragende Effizienz und Leistungsdichte
Robuste und zuverlässige Leistung
Breite Kompatibilität und Eignung für verschiedene Anwendungen
Unterstützt von einem seriösen Hersteller
STW43NM60N MOSSTMicroelectronics
STW4511BHSTM