- Jess***Jones
- 2026/04/17
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| Anzahl | Einzelpreis | Zwischensumme Preis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.048 | $0.05 |
RN4981FE,LF(CB Tech -Spezifikationen
Toshiba Semiconductor and Storage - RN4981FE,LF(CB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Toshiba Semiconductor and Storage - RN4981FE,LF(CB
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
| Supplier Device-Gehäuse | ES6 | |
| Serie | - | |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms | |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms | |
| Leistung - max | 100mW | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Andere Namen | RN4981FE(TE85L,F) RN4981FE(TE85LF)TR RN4981FE(TE85LF)TR-ND RN4981FE,LF(CT RN4981FELF(CBTR RN4981FELF(CTTR RN4981FELF(CTTR-ND |
|
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks | |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | |
| Frequenz - Übergang | 250MHz, 200MHz | |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6 | |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 10mA, 5V | |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA | |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
|---|---|
| RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Toshiba Semiconductor and Storage RN4981FE,LF(CB.
| Produkteigenschaften | ||||
|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | RN4981FE,LXHF(CT | RN4981FE,LF(CT | RN4911FE,LXHF(CT | RN4981,LXHF(CT |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Leistung - max | - | - | - | - |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | - | - | - | - |
| Widerstand - Basis (R1) | - | - | - | - |
| Verpackung / Gehäuse | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Transistor-Typ | - | - | - | - |
| Verpackung | - | - | - | - |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | - | - | - | - |
| Andere Namen | - | - | - | - |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | - | - | - | - |
| Supplier Device-Gehäuse | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Frequenz - Übergang | - | - | - | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | - | - | - | - |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | - | - | - | - |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | - | - | - | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | - | - | - | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - | - | - | - |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - | - | - | - |
| detaillierte Beschreibung | - | - | - | - |
| Befestigungsart | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Serie | - | - | - | - |
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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