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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI1034X-T1-GE3
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SI1034X-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
SI1034X-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-SI1034X-T1-GE3
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6
Verpackung
SC-89 (SOT-563F)
Datenblatt
1.SI1034X-T1-GE3.pdf ...

Umweltinformationen

Material Compliance.pdf

PCN -Design/Spezifikation

Mult Dev Material Chgs 1/Jul/2021.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

SI1034X-T1-GE3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI1034X-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI1034X-T1-GE3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-89 (SOT-563F)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 4.5V  
Leistung - max 250mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI1034  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

SI1034X-T1-GE3

Hersteller

Vishay / Siliconix

Einführung

Diskrete Halbleiterprodukte

Transistoren FETS, MOSFETS -Arrays

Produktfunktionen und Leistung

ROHS3 -konform

Herstellerverpackung: SC-89 (SOT-563F)

Grundproduktnummer: SI1034

Paket / Fall: SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket: SC-89 (SOT-563F)

Serie: Trenchfet

Paket: Band & Rollen (TR)

Betriebstemperatur: -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)

Power max: 250 mw

Konfiguration: 2 N-Kanal (Dual)

Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 20V

RDS auf (max) @ id, vgs: 5ohm @ 200 mA, 4,5 V

Technologie: MOSFET (Metalloxid)

Strom kontinuierlicher Abfluss (ID) bei 25 ° C: 180 mA

FET -Funktion: Logic Level Gate

Vgs (th) (max) @ id: 1.2v @ 250a

Gate -Ladung (QG) (max) @ vgs: 0,75nc @ 4,5 V

Montagetyp: Oberflächenhalterung

Produktvorteile

ROHS3 -konform

Compact SC-89 (SOT-563F) Paket

Dual N-Kanal-MOSFET-Design

Logic Level Gate Eingabe

Niedriges On-Resistenz

Wichtige technische Parameter

Betriebstemperaturbereich: -55 ° C bis 150 ° C

Maximale Leistung: 250 MW

Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 20V

On-Resistenz (RDS (ON)): 5 Ω @ 200 mA, 4,5 V

Gate -Schwellenspannung (VGS (TH)): 1,2 V @ 250 μA

Gate -Ladung (QG): 0,75 NC @ 4,5 V

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Geeignet für Hochtemperaturanwendungen

Kompatibilität

Oberflächenmontagepaket (SOT-563, SOT-666)

Kompatibel mit Standard -MOSFET -Schaltungskonstruktionen

Anwendungsbereiche

Stromschaltungsschaltungen

Logikpegel -Steuerungsschaltungen

Allzweckverstärker und Switch-Anwendungen

Produktlebenszyklus

Aktuelles Produktionsmodell, keine Absetzung geplant

Ersatz- oder Upgrade -Optionen bei Vishay erhältlich

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Kompaktes SC-89-Paket für platzbeschränkte Designs

Dual N-Kanalkonfiguration für eine effiziente Stromschaltung

Niedrige On-Resistenz für eine verbesserte Energieeffizienz

Breiter Betriebstemperaturbereich für harte Umgebungen

ROHS3-Konformität für umweltfreundliche Anwendungen

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI1034X-T1-GE3.

Produkteigenschaften SI1034CX-T1-GE3 SI1035X-T1-GE3 SI1034X-T1-E3 SI1033X-T1-GE3
Artikelnummer SI1034CX-T1-GE3 SI1035X-T1-GE3 SI1034X-T1-E3 SI1033X-T1-GE3
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Konfiguration - - - S/H-ADC
Supplier Device-Gehäuse - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
Drain-Source-Spannung (Vdss) - - - -
Serie - - - -
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer - DAC34H84 MAX500 ADS62P42
Leistung - max - - - -
Paket - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - -
Verpackung / Gehäuse - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Technologie - - - -
Betriebstemperatur - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Befestigungsart - Surface Mount Through Hole Surface Mount

SI1034X-T1-GE3 Datenblatt PDF

Laden Sie SI1034X-T1-GE3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für SI1034X-T1-GE3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Material Chgs 1/Jul/2021.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

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  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

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  • Uri ***al
    2024/06/19

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    2024/06/19

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    2024/06/19

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Japan 4
Naher Osten Israel 6
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