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Spezifikation

SI8424DB-T1-E1 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - SI8424DB-T1-E1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - SI8424DB-T1-E1

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Vishay / Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±5V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	4-Microfoot
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (max)	2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	4-XFBGA, CSPBGA
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1950 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12.2A (Tc)
Grundproduktnummer	SI8424

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT	BESCHREIBUNG
RoHS Status	ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)	1 (Unlimited)
Status erreichen	REACH Unaffected
ECCN	EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

SI8424DB-T1-E1

Hersteller

Vishay / Siliconix

Einführung

Der SI8424DB-T1-E1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der Grabenfadenserie von Vishay Siliconix, das für eine Vielzahl von Leistungsmanagement- und Steuerungsanwendungen ausgelegt ist.

Produktfunktionen und Leistung

N-Kanal-MOSFET mit geringem Aufnahmebestand und schnellem Umschalten

Unterstützt einen kontinuierlichen Abflussstrom von bis zu 12,2a bei 25 ° C.

Spannungsbewertung von 8 V abtropfen lassen

Eingabekapazität von 1950PF bei 4V

Leistungsdissipation von bis zu 2,78 W bei 25 ° C Umgebung oder 6,25 W bei 25 ° C Falltemperatur

Produktvorteile

Hervorragender thermischer Management und Effizienz

Kompaktes 4-Microfoot-Paket für platzbeschränkte Designs

Geeignet für einen weiten Bereich von Betriebstemperaturen (-55 ° C bis 150 ° C)

Wichtige technische Parameter

RDS (Ein) von 31 mΩ bei 1A, 4,5 V

Gate-to-Source-Spannung von ± 5 V

Schwellenspannung von 1 V bei 250 μA

Torladung von 33 Nc bei 5 V

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Geeignet zum Reflow-Lötchen in Klebeband und Reelpackaging

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen Stromverwaltungs- und Kontrollanwendungen

Anwendungsbereiche

Netzteile

Motor fährt

Regulierungsbehörden wechseln

Batterieladegeräte

Industriekontrollen

Produktlebenszyklus

Dieses Produkt befindet sich derzeit in der Produktion und nähert sich nicht dem Absetzen.

Ersatz- oder verbesserte Modelle können in Zukunft verfügbar werden.

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Ausgezeichnete thermische Leistung und Energieeffizienz

Kompaktes 4-Microfoot-Paket für platzbeschränkte Designs

Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 ° C bis 150 ° C)

Niedriges On-Resistenz und schnelles Umschalten für ein verbessertes Stromverwaltung

ROHS3 -Konformität für die Verwendung in einer Vielzahl von Anwendungen

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix SI8424DB-T1-E1.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	SI8424DB-T1-E1	SI8429DB-T1-E1	SI8424CDB-T1-E1	SI8425DB-T1-E1
Hersteller	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V	1.2V, 4.5V	1.2V, 4.5V	1.8V, 4.5V
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Serie	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®
Verlustleistung (max)	2.78W (Ta), 6.25W (Tc)	2.77W (Ta), 6.25W (Tc)	1.1W (Ta), 2.7W (Tc)	1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1950 pF @ 4 V	1640 pF @ 4 V	2340 pF @ 4 V	2800 pF @ 10 V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	800mV @ 250µA	800mV @ 250µA	900mV @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8 V	8 V	8 V	20 V
Typ FET	N-Channel	P-Channel	N-Channel	P-Channel
Grundproduktnummer	SI8424	SI8429	SI8424	SI8425
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 5 V	26 nC @ 5 V	40 nC @ 4.5 V	110 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse	4-Microfoot	4-Microfoot	4-Microfoot	4-WLCSP (1.6x1.6)
Vgs (Max)	±5V	±5V	±5V	±10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12.2A (Tc)	11.7A (Tc)	6.3A (Ta)	5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 1A, 4.5V	35mOhm @ 1A, 4.5V	20mOhm @ 2A, 4.5V	23mOhm @ 2A, 4.5V
Verpackung / Gehäuse	4-XFBGA, CSPBGA	4-XFBGA, CSPBGA	4-UFBGA, WLCSP	4-UFBGA, WLCSP
FET-Merkmal	-	-	-	-

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Jess***Jones

2026/04/17

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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