Hersteller Teilnummer
ZXTN25060BZTA
Hersteller
Dioden eingebaut
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Single Bipolar Junction Transistor (BJT)
Produktfunktionen und Leistung
Breiter Betriebstemperaturbereich: -55 ° C bis 150 ° C
Hochleistungsbewertung: 2,4W
Hochspannungsbewertung: 60V Collector-Emitter-Breakdown-Spannung
Hochstrombewertung: 5A -Sammlerstrom
Low Collector-Emitter-Sättigungsspannung: 305mv @ 500 mA, 5a
Hoher Gleichstromverstärkung: 100 min @ 10 mA, 2 V
Hohe Übergangsfrequenz: 185 MHz
Produktvorteile
Geeignet für Hochleistungs-, Hochspannungs- und Hochstromanwendungen
Ausgezeichnete elektrische Leistung
Kompakte Oberflächenmontagepaket
Wichtige technische Parameter
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung (MAX): 60V
Sammlerstrom (max): 5a
Leistungsdissipation (max): 2.4W
Gleichstromverstärkung (min): 100 @ 10 mA, 2V
Übergangsfrequenz: 185MHz
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Kompaktes und zuverlässiges SOT-89-3-Paket
Kompatibilität
Oberflächenmontagepaket
Kompatibel mit verschiedenen Hochleistungs-, Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Machtverstärker
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Industrie- und Automobilelektronik
Produktlebenszyklus
Derzeit verfügbar
Keine Informationen zum Absetzen oder zum Austausch
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Ausgezeichnete elektrische Leistung in Bezug auf Spannung, Strom und Leistungsbewertungen
Kompakte und zuverlässige Oberflächenmontagepaket
Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungs-, Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen
ROHS3 Compliance für ökologische Nachhaltigkeit

ZXTN25040DZMSV











