Hersteller Teilnummer
ZXTN25100BFHTA
Hersteller
Dioden eingebaut
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Bipolare Junction Transistor (BJT) Single
Produktfunktionen und Leistung
ROHS3 -konform
SOT-23-3-Paket
Betriebstemperaturbereich: -55 ° C bis 150 ° C
Leistungsbewertung: 1,25W
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 100V
Sammlerstrom (max): 3a
Collector Cutoff -Strom (max): 50na
Collector-Emitter-Sättigungsspannung: 250 mV @ 300 mA, 3A
Transistortyp: NPN
Gleichstromverstärkung (HFE): 100 min @ 10 mA, 2V
Übergangsfrequenz: 160 MHz
Oberflächenmontagepaket
Produktvorteile
Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeit
Niedrige Sättigungsspannung
Hohe Schaltgeschwindigkeit
ROHS3 Compliance für ökologische Nachhaltigkeit
Wichtige technische Parameter
Leistungsbewertung: 1,25W
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 100V
Sammlerstrom (max): 3a
Collector Cutoff -Strom (max): 50na
Collector-Emitter-Sättigungsspannung: 250 mV @ 300 mA, 3A
Gleichstromverstärkung (HFE): 100 min @ 10 mA, 2V
Übergangsfrequenz: 160 MHz
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform für eingeschränkte Substanzen
Geeignet für hochzuverständliche Anwendungen
Kompatibilität
Oberflächenmontagepaket (SOT-23-3)
Häufig in elektronischen Schaltungskonstruktionen verwendet
Anwendungsbereiche
Machtverstärker
Schaltkreise umschalten
Wechselrichter
Motor fährt
Industrielle Elektronik
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktangebot, nicht kurz vor dem Absetzen
Austausch und Upgrades können verfügbar sein, wenn sich die Technologie entwickelt
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochspannungs- und Stromhandhabungsfähigkeit
Niedrige Sättigungsspannung für eine effiziente Stromversorgung
Hohe Schaltgeschwindigkeit für schnell abgestellte Anwendungen
ROHS3 Compliance für Umweltüberlegungen
Nachgewiesene Zuverlässigkeit und Leistung in verschiedenen elektronischen Schaltungen
ZXTN25060BZTADiodes IncorporatedTRANS NPN 60V 5A SOT89-3
ZXTN25040DZMSV











