Hersteller Teilnummer
CSD18531Q5A
Hersteller
Texas Instrumente
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit geringem Auftrag und hoher Leistungsdichte in einem kleinen VSONP-Paket.
Produktfunktionen und Leistung
Extrem niedrige On-Resistenz (4,6 MΩ max) für hohe Effizienz
Hohe Stromfähigkeit (19 a kontinuierlich, 100 a gepulste)
Sehr niedrige Gate -Ladung (43 nc max) für schnelles Schalten
Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 ° C bis 150 ° C)
Kompakt 8-polige VSONP (5x6 mm) Paket
Produktvorteile
Ermöglicht eine hohe Effizienz-Leistungsumwandlung in einem kleinen Fußabdruck
Geeignet für hochstromige, hochfrequente Schaltanwendungen
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb in harten Umgebungen
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDSS): 60 V.
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 20 V
Aufämterung (RDS (ON)): 4,6 MΩ max
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 19 A (TA), 100 a (TC)
Eingangskapazität (CISS): 3840 PF Max
Leistungsdissipation (PD): 3,1 W (TA), 156 W (TC)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Getestet und für zuverlässigen Betrieb qualifiziert
Kompatibilität
Geeignet für eine breite Palette von Leistungsumwandlungs- und Kontrollanwendungen, einschließlich:
DC-DC-Konverter
Motor fährt
Netzteile
Wechselrichter
Beleuchtungsballasts
Anwendungsbereiche
Hocheffiziente Leistungsumwandlung
Hochstromiger, Hochfrequenzwechsel
Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Der CSD18531Q5A ist ein aktives Produkt und nähert sich nicht der Abnahme.Ersatz- oder Upgrade -Optionen sind bei Bedarf verfügbar.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Extrem geringe Aufnahmebereich für hohe Effizienz
Hohe aktuelle Fähigkeit für anspruchsvolle Anwendungen
Schnelle Schaltleistung mit niedriger Gate -Ladung
Kompaktes VSONP-Paket für platzbeschränkte Designs
Breiter Betriebstemperaturbereich für einen robusten Betrieb
ROHS -Konformität für ökologische Nachhaltigkeit
