Hersteller Teilnummer
2stn1360
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Single NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Entwickelt für allgemeine Verstärkung und Schaltanwendungen
Produktfunktionen und Leistung
Unterstützt einen hohen Sammlerstrom von bis zu 3a
Arbeitet bei Hochspannung bis zu 60 V
Bietet einen hohen Gleichstromstromverstärkung (HFE) von mindestens 160
Erreicht eine hohe Übergangsfrequenz von 130 MHz
Kompakte Oberflächenhalterung SOT-223-Paket
Produktvorteile
Ausgezeichnete Fähigkeit zur Krafthandhabung
Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit
Kompakte Größe für platzbeschränkte Designs
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen
Wichtige technische Parameter
Leistungsdissipation: 1.6W
Anschlusstemperatur: 150 ° C.
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 60V
Sammlerstrom (max): 3a
Collector Cutoff -Strom: 100NA
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung: 500 mV
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Stabile und zuverlässige Leistung
Für den langfristigen Betrieb ausgelegt
Kompatibilität
Kompatibel mit TO-261-4, to-261aa Paket-Paket-Fußabdrücken
Geeignet für die Oberflächenmontagebaugruppe
Anwendungsbereiche
Allzweckverstärkung und Schaltkreise
Stromverwaltungs- und Steuerungssysteme
Kfz -Elektronik
Industrieautomatisierung und Kontrolle
Produktlebenszyklus
Derzeit in aktiver Produktion
Ersatz- oder verbesserte Modelle können in Zukunft verfügbar sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungshandhabung und Spannungsfähigkeit
Hervorragende Hochfrequenzleistung
Robustes und zuverlässiges Design
Kompakte Oberflächenmontagepaket
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen

2STF2340-TRUTG