Hersteller Teilnummer
2stn1550
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Bipolare Junction Transistor (BJT) Single
Produktfunktionen und Leistung
ROHS3 -konform
SOT-223-Paket
Betriebstemperatur: 150 ° C (TJ)
Leistungsbewertung: 1,6 W (max)
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 50 V (max)
Sammlerstrom: 5 A (max)
Collector Cutoff Current: 100 NA (max)
Collector-Emitter-Sättigungsspannung: 450 mV @ 300 mA, 3 a
Gleichstromverstärkung (HFE): 135 (min) @ 2 a, 2 V
Oberflächenhalterung
Produktvorteile
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Kompaktes SOT-223-Paket
Breiter Betriebstemperaturbereich
Robuste elektrische Eigenschaften
Wichtige technische Parameter
Transistortyp: NPN
Paket: to-261-4, to-261aa
Lieferantengerätepaket: SOT-223
Verpackung: Band & Rollen (TR)
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Kompatibilität
Kompatibel mit verschiedenen elektronischen Schaltungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Geeignet für den Einsatz in Leistungsverstärkern, Schaltschaltungen und anderen elektronischen Systemen
Produktlebenszyklus
Derzeit verfügbares Produkt
Keine Informationen zum Absetzen oder zum Austausch
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Kompaktpaket
Breiter Betriebstemperaturbereich
Robuste elektrische Leistung
ROHS3 Compliance für die Umweltsicherheit
