Hersteller Teilnummer
2STN2540
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Einzelbipolar -Junction -Transistor (BJT), PNP -Typ
Produktfunktionen und Leistung
Entwickelt für allgemeine Verstärkung und Schaltanwendungen
In der Lage, bis zu 5a Sammlerstrom zu handhaben
Aufschlüsselungsspannung von bis zu 40 V zwischen Sammler und Emitter
Sättigungsspannung von nur 450 mV bei 500 mA, 5a
Gleichstromverstärkung (HFE) von mindestens 150 @ 2a, 2 V
Produktvorteile
Kompaktes SOT-223 Oberflächenmontagepaket
ROHS3-konform für den umweltfreundlichen Gebrauch
Zuverlässige Leistung in einem weiten Temperaturbereich von bis zu 150 ° C
Wichtige technische Parameter
Leistungsbewertung: 1,6W
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung (VCEO): 40V
Sammlerstrom (IC): 5a
Collector Cut-Off-Strom (ICBO): 100NA
Gleichstromverstärkung (HFE): Mindestens 150 @ 2a, 2 V
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
Voller ROHS3 -konform
Zuverlässiger Betrieb innerhalb des angegebenen Temperaturbereichs
Kompatibilität
Kompatibel mit einer Vielzahl von elektronischen Schaltungen und Anwendungen
Anwendungsbereiche
Allzweckverstärkung und Umschaltung in elektronischen Geräten
Geeignet für den Einsatz in Netzteilen, Motorsteuerungen und anderer Stromeelektronik
Produktlebenszyklus
Aktuelles Produktionsmodell, kein Hinweis auf Absetzen
Austausch und Upgrades können beim Hersteller erhältlich sein
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Robuste Leistung mit hoher aktueller Handhabungsfähigkeit
Kompakte und effiziente Oberflächenmontageverpackung
Einhaltung der neuesten ROHS -Umweltvorschriften
Zuverlässiger Betrieb in einem weiten Temperaturbereich
2STN2540-TRSTMicroelectronics