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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD11N60M6
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STD11N60M6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD11N60M6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD11N60M6
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
DISCRETE
Verpackung
D-PAK (TO-252)
Datenblatt
-
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

STD11N60M6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD11N60M6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD11N60M6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 90W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 387 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.3 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  
Grundproduktnummer STD11  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STD11N60M6

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochleistungsleistung MOSFET-Transistor für elektronische Leistungsanwendungen

Produktfunktionen und Leistung

Robuste Lawine Ruggedness

Extrem niedrige On-Resistenz für hocheffiziente Leistungsumwandlungen

Schnelles Schalten und niedrige Gate-Ladung für den Hochfrequenzbetrieb

Positiver Temperaturkoeffizient der Auffassung für eine einfache Parallelung

Voll qualifiziert für den neuesten AEC-Q101-Standard für Automobilanwendungen

Produktvorteile

Ausgezeichnete thermische Dissipation mit D-Pak-Paket

Optimiert für hochfrequente Anwendungen mit hoher Effizienz

Geeignet für den Einsatz in Automobil- und Industriekraftelektronik

Wichtige technische Parameter

600 V Drain-Source-Spannung

8a kontinuierlicher Abflussstrom bei 25 ° C

520 mΩ Maximal On-Resistenz

-55 ° C bis 150 ° C Betriebstemperaturbereich

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Qualifiziert für den AEC-Q101-Standard für Automobilanwendungen

Kompatibilität

Geeignet für die Oberflächenmontagebaugruppe

Anwendungsbereiche

Automobilelektronik (z. B. Motorantriebe, Netzteile)

Industrieunternehmen und Konvertierer

Haushaltsgeräte

Erneuerbare Energiesysteme

Produktlebenszyklus

Derzeit in aktiver Produktion

Keine geplante Absetzung, langfristige Verfügbarkeit erwartet

Hauptgründe zur Auswahl

Ausgezeichnete Leistungseffizienz durch extrem niedrige On-Resistenz

Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit für anspruchsvolle Anwendungen

Breiter Betriebstemperaturbereich für vielseitige Verwendung

Qualitäts- und Sicherheitszertifizierung für Kfz-Qualität

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD11N60M6.

Produkteigenschaften STD11N60M2-EP STD11N60DM2 STD11N50M2 STD11NM60N
Artikelnummer STD11N60M2-EP STD11N60DM2 STD11N50M2 STD11NM60N
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) - - - -
Befestigungsart - Surface Mount Through Hole Surface Mount
Technologie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
Serie - - - -
Typ FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - -
Verlustleistung (max) - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Paket - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) - - - -
Verpackung / Gehäuse - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Betriebstemperatur - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Grundproduktnummer - DAC34H84 MAX500 ADS62P42

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    2024/06/19

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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