Hersteller Teilnummer
STD11NM50N
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET-Transistor
Produktfunktionen und Leistung
Breiter Drain-Source-Spannungsbereich von bis zu 500 V.
Niedrige On-Resistenz (RDS (ON)) von 470 mΩ
Hoher kontinuierlicher Abflussstrom (ID) von 8,5a bei 25 ° C
Niedrige Eingangskapazität (CISS) von 547PF
Geeignet für Hochfrequenzschaltanwendungen
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung und Kontrolle
Reduzierte Stromverluste
Kompaktes und platzsparendes Design
Wichtige technische Parameter
Drain-Source-Spannung (VDS): 500 V
Gate-Source-Spannung (VGS): ± 25 V
On-Resistenz (RDS (ON)): 470 mΩ
Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 8,5a
Eingangskapazität (CISS): 547PF
Leistungsdissipation (PD): 70W
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Zuverlässiges und robustes Design
Kompatibilität
Geeignet für eine Vielzahl von Stromverwaltungs- und Steuerungsanwendungen
Anwendungsbereiche
Stromversorgungsversorgung
Motor fährt
Beleuchtungsballasts
Wechselrichter
Industrie- und Unterhaltungselektronik
Produktlebenszyklus
Derzeit in aktiver Produktion
Ersatz und Upgrades verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hoher Effizienz und niedriger Stromverlust
Kompaktes und platzsparendes Design
Zuverlässige und robuste Leistung
Geeignet für Hochfrequenzschaltanwendungen
Großes Kompatibilitätsbereich und Anwendungen
STD11N60M6STMicroelectronicsDISCRETE