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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD11N65M2
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STD11N65M2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD11N65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD11N65M2
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Verpackung
DPAK
Datenblatt
1.STD11N65M2.pdf ...

Datenblätter

ST(D, P, U)11N65M2.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

STD11N65M2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD11N65M2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD11N65M2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie MDmesh™ II Plus  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 85W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer STD11  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STD11N65M2

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochleistungs-N-Kanal-Power-MOSFET

Produktfunktionen und Leistung

Hochspannungsbetrieb von bis zu 650 V

Niedrige On-Resistenz bis 670 mΩ

Schnelles Umschalten

Niedrige Torladung

Hochleistungsdichte

Breiter Betriebstemperaturbereich (-55 ° C bis 150 ° C)

Produktvorteile

Verbesserte Effizienz bei Stromumrechnungsanwendungen

Reduzierte Stromverluste

Kompaktes Design

Wichtige technische Parameter

Drain-to-Source-Spannung (VDSS): 650 V

Maximale Gate-to-Source-Spannung (VGS): ± 25 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 670 mΩ @ 3,5A, 10V

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 7a (bei TC = 25 ° C)

Eingangskapazität (CISS): 410PF @ 100V

Leistungsdissipation (TC): 85W

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Zuverlässige MOSFET -Technologie

Kompatibilität

Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen

Anwendungsbereiche

Stromversorgungsversorgungen

Wechselrichter

Motor fährt

Beleuchtungsballasts

Industrie- und Unterhaltungselektronik

Produktlebenszyklus

Derzeit verfügbar, keine Pläne für die Absage

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hohe Effizienz und niedrige Stromverluste

Kompaktes und platzsparendes Design

Breiter Betriebstemperaturbereich

Zuverlässig und rohs-konform

Geeignet für eine Vielzahl von Stromumrechnungsanwendungen

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD11N65M2.

Produkteigenschaften STD11N65M5 STD11N60DM2 STD11N60M2-EP STD11N50M2
Artikelnummer STD11N65M5 STD11N60DM2 STD11N60M2-EP STD11N50M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) - - - -
Supplier Device-Gehäuse - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Technologie - - - -
Verpackung / Gehäuse - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Verlustleistung (max) - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) - - - -
Befestigungsart - Surface Mount Through Hole Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Paket - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - - - -
Typ FET - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - -
Serie - - - -
Grundproduktnummer - DAC34H84 MAX500 ADS62P42

STD11N65M2 Datenblatt PDF

Laden Sie STD11N65M2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD11N65M2 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
ST(D, P, U)11N65M2.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018.pdf
PCN -Verpackung
Reel Design Change 22/Aug/2022.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

    Good comunication,
    Transpnt regarding the process and price.

  • Yaqu***l Ali
    2024/06/19

    Providing reasonable prices, regular follow-up of orders, providing accurate and regular invoices, timely delivery of goods, excellent customer service and providing original goods and best quality materials.

  • Lea ***
    2024/06/19

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Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Japan 4
Naher Osten Israel 6
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