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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD16N65M5
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STD16N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD16N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD16N65M5
Garantie
1 Jahr Allelco Garantie - Finden Sie mehr heraus
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Verpackung
DPAK
Datenblatt
1.STD16N65M5.pdf ...

PCN -Design/Spezifikation

New Lead Frame Design 17/Mar/2023.pdf

PCN -Baugruppe/Herkunft

IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf
RoHS Status
ROHS3 -konform
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Spezifikation

STD16N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD16N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD16N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 90W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer STD16  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status ROHS3 -konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99

Teile Einführung

Hersteller Teilnummer

STD16N65M5

Hersteller

Stmicroelektronik

Einführung

Hochspannung und Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET im DPAK-Paket

Produktfunktionen und Leistung

Optimiert für Hochfrequenz- und hocheffiziente Switch-Mode-Stromversorgungsanwendungen

Niedrige On-Resistenz und hohe Schwellenspannung für eine verbesserte Effizienz

Hervorragende Schaltleistung mit niedriger Gate -Ladung

In der Lage, Hochspannungen bis zu 650 V umzugehen

Produktvorteile

Verbesserte Effizienz durch niedrige Aufnahmeberechnung und Gate-Ladung

Robustes Design mit Hochspannungs- und Temperaturfähigkeiten

Kompaktes DPAK-Paket für platzbeschränkte Anwendungen

Wichtige technische Parameter

Abtropfen Sie zur Quellspannung (VDSS): 650 V

On-Resistenz (RDS (ON)): 299mΩ @ 6a, 10V

Kontinuierlicher Abflussstrom (ID): 12a @ 25 ° C

Eingangskapazität (CISS): 1250pf @ 100V

Leistungsdissipation (TC): 90W

Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale

ROHS3 -konform

Zuverlässiger Betrieb bis zu 150 ° C Anschlusstemperatur

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen Switch-Mode-Stromversorgungs- und Motorantriebsanwendungen

Anwendungsbereiche

Hocheffizientes Schaltmodus-Stromversorgungsmittel

Wechselrichter und Motorfahrten

Leistungsfaktorkorrekturschaltungen

Industrie- und Unterhaltungselektronik

Produktlebenszyklus

Aktuelles Produkt, kein Absetzen geplant

Ersatz- und Upgrade -Optionen verfügbar

Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts

Hervorragende Effizienz und Schaltleistung

Hochspannungs- und Temperaturfähigkeit

Kompaktes und platzsparendes DPAK-Paket

Robustes und zuverlässiges Design für Industrie- und Verbraucheranwendungen

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD16N65M5.

Produkteigenschaften STD16N65M5 STD16N50M2 STD16N60M2 STD16N65M2
Artikelnummer STD16N65M5 STD16N50M2 STD16N60M2 STD16N65M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 100 V 710 pF @ 100 V 700 pF @ 100 V 718 pF @ 100 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 90W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 19.5 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 19.5 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Serie MDmesh™ V MDmesh™ MDmesh™ M2 MDmesh™ M2
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 13A (Tc) 12A (Tc) 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6A, 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V 320mOhm @ 6A, 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 500 V 600 V 650 V
Grundproduktnummer STD16 STD16 STD16 STD16
Supplier Device-Gehäuse DPAK TO-252, (D-Pak) DPAK DPAK
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

STD16N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STD16N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD16N65M5 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STB16N65M5, STD16N65M5.pdf
PCN -Design/Spezifikation
New Lead Frame Design 17/Mar/2023.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf
PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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Kundenrezensionen

Bewertung: 10 Artikel

  • Jess***Jones
    2026/04/17

    It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.

  • Mich***Smith
    2026/04/17

    Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.

  • Aman***arris
    2026/04/3

    It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.

  • Mike***nch
    2026/04/3

    Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

  • Daic***K.
    2026/03/23

    Very good. No issue after long time testing.

  • Kevi***.
    2026/03/17

    Fast switching and stable output. Very satisfied with this IC

  • Daou***hekebkeb
    2024/06/16

    I had a great experience purchasing items from Allelcoelec, I recommend

  • Uri ***al
    2024/06/19

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Japan 4
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