Hersteller Teilnummer
STGB20M65DF2
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Diskretes Halbleiterprodukt
Einzeltransistor IGBT (bipolarer Gate -Transistor)
Produktfunktionen und Leistung
Grabenfeldstop -IGBT -Struktur
650 V Collector-Emitter-Breakdown-Spannung
40A -Sammlerstrom (maximal)
2V Collector-Emitter-Sättigungsspannung @ 15V Gate, 20A-Kollektor
166ns Reverse Recovery -Zeit
63NC -Torladung
80A gepulster Sammlerstrom
140 & mgr; J Einschalten der Schaltergie, 560 & mgr; J Ausschalten der Schaltergie
26ns Turn-On-Verzögerungszeit, 108NS-Abbaus Verzögerungszeit
Produktvorteile
Optimiert für hochfrequente Schaltanwendungen
Verbesserte Effizienz und reduzierte Stromverluste
Kompaktes D2pak -Oberflächenmontagepaket
Wichtige technische Parameter
Spannungskollektoremittererbruch (MAX): 650 V
Stromsammler (IC) (max): 40a
VCE (ON) (max) @ vge, IC: 2V @ 15V, 20a
Reverse Recovery Time (TRR): 166ns
Torladung: 63NC
Stromkollektor gepulst (ICM): 80A
Switching -Energie: 140 & mgr ;j (Ein), 560 & mgr ;j (aus)
TD (Ein/Aus) bei 25 ° C: 26ns/108ns
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
Für hohe Zuverlässigkeit und Sicherheit entwickelt
Kompatibilität
Kompatibel mit Standard -IGBT -Gate -Treibern
Anwendungsbereiche
Schaltmodus-Netzteile
Motor fährt
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Schweißausrüstung
Induktionsheizung
Beleuchtungsballasts
Produktlebenszyklus
Derzeit in aktiver Produktion
Ersatz und Upgrades verfügbar
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hervorragende Leistungsmerkmale für Hochfrequenzwechsel
Optimierte Effizienz und reduzierte Stromverluste
Kompaktes Oberflächenmontagepaket für platzbeschränkte Designs
Nachgewiesene Zuverlässigkeits- und Sicherheitsmerkmale
Breiter Spektrum kompatibler Anwendungen

STGB2012-000PT