Hersteller Teilnummer
STGB20NB37LZT4
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs -IGBT -Transistor für industrielle Anwendungen
Produktfunktionen und Leistung
200 W Maximalleistung
425 V Maximale Sammler-Emitter-Spannung
40A Maximaler Sammlerstrom
2V Maximale Sammler-Emitter-Sättigungsspannung @ 4,5 V Gatespannung, 20A-Kollektorstrom
51nc Gate Ladung
80A Maximal gepulster Sammlerstrom
3US/2US Turn-/Turn-Off-Zeit @ 25 ° C
Produktvorteile
Hochleistungsdichte
Niedriger Spannungsabfall im Zustand
Schnelles Umschalten
Robustes Design
Wichtige technische Parameter
Leistungsbewertung: 200W
Spannungsbewertung: 425 V
Aktuelle Bewertung: 40a
Sättigungsspannung: 2V @ 4,5 V, 20a
Torladung: 51nc
Schaltzeit: 2,3US/2US
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
D2pak -Oberflächenmontagepaket
Kompatibilität
Kompatibel mit industriellen Stromanwendungen
Anwendungsbereiche
Industriemotorfahrten
Power Wechselrichter
Schweißausrüstung
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
Produktlebenszyklus
Derzeit in Produktion
Ersatz und Upgrades verfügbar
Hauptgründe zur Auswahl
Hochleistungshandhabungsfähigkeit
Niedrige Leitungsverluste
Schneller Schalter für einen effizienten Betrieb
Robustes Paket für industrielle Umgebungen

STGB2012-190PT