Hersteller Teilnummer
STGB20NB41LZT4
Hersteller
Stmicroelektronik
Einführung
Hochleistungs-IGBT-Transistor für Stromumrechnungsanwendungen.
Produktfunktionen und Leistung
Hochspannung auf bis zu 442 V
Hochstromabrechnungsfähigkeit bis zu 40A
Niedriger Spannungsabfall von 2 V bei 20a
Schnelles Schalten mit Schaltzeit von 1 μs und Abbauszeit von 12,1 μs
Niedrige Torladung von 46 Nc
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 ° C bis 175 ° C
Produktvorteile
Effiziente Leistungsumwandlung mit geringer Leitung und Schaltverlusten
Kompaktes Design mit kleiner Verpackungsgröße
Zuverlässige und robuste Leistung
Wichtige technische Parameter
Spannung: 442V Max Collector-Emitter-Breakdown-Spannung
Strom: 40A Max -Kollektorstrom, 80A Max Pulsed Collectorstrom
Kraft: 200W Max Power Dissipation
Energiewechsel: 5mj (Ein), 12,9 mj (aus)
Schaltzeiten: 1 μs (Ein), 12,1 μs (aus)
Torladung: 46nc
Qualitäts- und Sicherheitsmerkmale
ROHS3 -konform
D2PAK -Paket für eine zuverlässige Oberflächenmontagebaugruppe
Kompatibilität
Geeignet für den Einsatz in verschiedenen Stromumrechnungsanwendungen wie Motorantriebe, Netzteile und industrielle Elektronik.
Anwendungsbereiche
Motor fährt
Netzteile
Industrielle Elektronik
Erneuerbare Energiesysteme
Produktlebenszyklus
Der STGB20NB41LZT4 ist ein aktiv unterstütztes Produkt aus STMICROELECTRONICS.Austausch und Upgrades können in Zukunft verfügbar sein, wenn sich die Technologie entwickelt.
Wichtige Gründe für die Auswahl dieses Produkts
Hochleistungs-IGBT mit ausgezeichnetem Stromabgang und Effizienz
Kompaktes und zuverlässiges D2PAK -Paket
Breiter Betriebstemperaturbereich für verschiedene Anwendungen
ROHS3 Compliance für ökologische Nachhaltigkeit
Aktiv unterstützte Produkt mit potenziellen zukünftigen Upgrades
STGB20NB41LZT4 MOSSTMicroelectronics
STGB30H60DFB